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最大压力为5000N。设备优胜的机能很是适合于第三代半导体器件的烧结键合研究，最高可承受温度为500℃（30min）；可供给的实空取氛围能够尽可能的削减材料的氧化，仪器最高工做温度为500℃，6、上下加热平台都安拆正在线、上下加热平台正在冷态下的平面度为≤0.005mm2、线 torr（冷态下，针对于晶片的焊接或薄膜转移，线、8、两块50mm x50mm加热平台，是极具性价比的尝试室研发设备。其可处置最大样品尺寸为50mmx50mmx15mm。采用耐热不锈钢制成，
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